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海力士成功开发出采用3重单元技术的32Gbit NAND型闪存-资讯乌兰察布
山和机械网 2022-11-01 11:41:44
海力士成功开发出采用3重单元技术的32Gbit NAND型闪存-资讯
韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)于6月3日宣布成功开发出采用3重单元(3bit/单采茶机元)技术的32Gbit NAND型闪存。此次开发出的产品与原来的多层单元(MLS)技术相比,芯片面积能减少30%以上餐边柜,可大大节约成本。该公司将以此新技术为基础,把仅限于量产16Gbit产品的48nm工艺扩大至32Gbit产品领域。该公司计划从10月开始量产。 新产品是由8枚芯片组成的一个封装,通过将存储量增加到32Gbit,可保存等离子屏8000首“MP3”音乐数据、20部DVD画质的电影、3万6000张高像素照片或是相当于上述容量的庞大信息。 另外,此次的产品遵循“ONFI(Open NAND Flash Interface)”标准,所以也是“BA(Block Abstracted)”NAND型闪存产品。该产品利用“MSP(Memory Signal Processing)”技术,消除了单元间的干扰现象,解决了这个存在于3重单元产品中的最大障碍。这样,原来的MLS技术今后可以应用于4重连接轴单元等新一代产品,此外还有望突破工艺微细化的极限,继玉米面续保持存储器的bit增长。
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